Transistor van 3 atomen dik biedt hoop voor toekomst

vr, 01/05/2015 - 15:52

Door: Redactie WINMAG Pro

Wetenschappers hebben een nieuwe manier ontdekt voor het produceren van ultradunne transistors. Deze zijn gemaakt van een experimenteel materiaal wat bekend staat als een overgangsmetaal dichalcogenide (TMD). De transistor die de wetenschappers gemaakt hebben, is slechts drie atomen dik.

TMD's zijn erg dun, vaak zijn ze niet meer dan een laagje van een paar atomen. Bovendien bevatten ze eigenschappen die het geschikt maken voor zonnecellen, lichtdetectoren en halfgeleiders. De uitdaging zit hem echter in het consistent laten werken van de materialen. De ultradunne transistor die de wetenschappers gemaakt hebben, is tot nu toe het beste proces voor het produceren van de materialen, wat goede hoop geeft voor de toekomst.

Toekomst?

Als er meer vooruitgang wordt geboekt met de TMD's, kunnen chipfabrikanten nog dunnere chips maken. Zij hebben de maximale dichtheid van siliciumchips bijna bereikt. Willen we nog kleinere en snellere apparaten, dan moeten de circuits van ultradun materiaal gemaakt worden om ze strakker in te pakken, zonder dat deze oververhit raken of kapot gaan. Of TMD hier het antwoord op is, weten we nog niet, maar het onderzoek biedt perspectief voor de toekomst.